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MOSFET Infineon Technologies IRFB4410PBF 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564029 - 62
Teile-Nr.: IRFB4410PBF |  EAN: 2050003203180
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFB4410PBF
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
88 A
U
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
10 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
58 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
Q(G)
180 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
5150 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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