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MOSFET Infineon Technologies IRFB9N65APBF 1 N-Kanal 167 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162563 - 62
Teile-Nr.: IRFB9N65APBF |  EAN: 2050000042218
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRFB9N65APBF 1 N-Kanal 167 W TO-220
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  • Typ: IRFB9N65APBF
  • Gehäuse: TO-220
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFB9N65APBF
Gehäuse
TO-220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
8.5 A
U
650 V
Ptot
167 W
R(DS)(on)
930 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
48 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1417 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
650 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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