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MOSFET Infineon Technologies IRFD120PBF 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162583 - 62
Teile-Nr.: IRFD120PBF |  EAN: 2050000042416
  • MOSFET Infineon Technologies IRFD120PBF 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP
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  • Typ: IRFD120PBF
  • Gehäuse: HEXDIP
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFD120PBF
Gehäuse
HEXDIP
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
1.3 A
U
100 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
270 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
780 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
16 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
360 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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