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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFD9120PBF 1 P-Kanal 1.3 W HEXDIP

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162591 - 62
Teile-Nr.: IRFD9120PBF |  EAN: 2050000042461
0,69 €
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inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFD9120PBF
Gehäuse
HEXDIP
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
1 A
U
100 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
600 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
600 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
18 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
390 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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