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MOSFET Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF 1 N-Kanal 2.8 W PQFN 3.3x3.3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 160999 - 62
Teile-Nr.: IRFHM830DTR2PBF |  EAN: 2050001540980
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  • Typ: IRFHM830DTR2PBF
  • Gehäuse: PQFN 3.3x3.3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRFHM830DTR2PBF
Gehäuse
PQFN 3.3x3.3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
20 A
40 A
U
30 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
50 µA
Q(G)
27 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1797 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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