JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF 1 N-Kanal 2.5 W PQFN 3.3x3.3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161001 - 62
Teile-Nr.: IRFHM831TR2PBF |  EAN: 2050001541000
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF 1 N-Kanal 2.5 W PQFN 3.3x3.3
0,63 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 27.09 bis 28.09.2017
  • Typ: IRFHM831TR2PBF
  • Gehäuse: PQFN 3.3x3.3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRFHM831TR2PBF
Gehäuse
PQFN 3.3x3.3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
14 A
40 A
U
30 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
7.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
12 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
25 µA
Q(G)
16 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1050 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Ähnliche Produkte
Nach oben