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MOSFET Infineon Technologies IRFHS8342TR2PBF 1 N-Kanal 2.1 W PQFN 2x2

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161005 - 62
Teile-Nr.: IRFHS8342TR2PBF |  EAN: 2050001541031
Abbildung ähnlich
0,25 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRFHS8342TR2PBF
Gehäuse
PQFN 2x2
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
8.8 A
19 A
U
30 V
Ptot
2.1 W
R(DS)(on)
16 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
25 µA
Q(G)
8.7 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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