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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFL4105PBF 1 N-Kanal 1 W SOT-223

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162630 - 62
Teile-Nr.: IRFL4105PBF |  EAN: 2050000042799
Abbildung ähnlich
0,50 €
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFL4105PBF
Gehäuse
SOT‑223
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.7 A
U
55 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
45 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
660 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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