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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFP260NPBF 1 N-Kanal 300 W TO-247-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564059 - 62
Teile-Nr.: IRFP260NPBF |  EAN: 2050003203487
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFP260NPBF
Gehäuse
TO‑247‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
50 A
U
200 V
Ptot
300 W
R(DS)(on)
40 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
28 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
234 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
4057 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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