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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFP3703PBF 1 N-Kanal 3.8 W TO-247

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162652 - 62
Teile-Nr.: IRFP3703PBF |  EAN: 2050000042980
Abbildung ähnlich
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRFP3703PBF
Gehäuse
TO‑247
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
210 A
U
30 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
2.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
76 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
209 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
8250 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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