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MOSFET Infineon Technologies IRFR13N20D 1 N-Kanal 110 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162684 - 62
Teile-Nr.: IRFR13N20D |  EAN: 2050000043284
MOSFET Infineon Technologies IRFR13N20D 1 N-Kanal 110 W TO-263-3

HEXFET/FETKY

Technische Daten

Typ
IRFR13N20D
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
13 A
U
200 V
Ptot
110 W
R(DS)(on)
235 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
38 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
830 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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