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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFR3410PBF 1 N-Kanal 3 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564079 - 62
Teile-Nr.: IRFR3410PBF |  EAN: 2050003203661
Abbildung ähnlich
1,63 €
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFR3410PBF
Gehäuse
TO‑252‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
31 A
U
100 V
Ptot
3 W
R(DS)(on)
39 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
18 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
56 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1690 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
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