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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFR5305 1 P-Kanal 110 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162696 - 62
Teile-Nr.: IRFR5305 |  EAN: 2050000043390
  • MOSFET Infineon Technologies IRFR5305 1 P-Kanal 110 W TO-263-3
  • MOSFET Infineon Technologies IRFR5305 1 P-Kanal 110 W TO-263-3
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  • Typ: IRFR5305
  • Gehäuse: TO-263-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: P-Kanal

HEXFET/FETKY

Technische Daten

Typ
IRFR5305
Gehäuse
TO-263-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P-Kanal
I(d)
31 A
U
-55 V
Ptot
110 W
R(DS)(on)
65 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
16 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
+10 V
U(GS)(th) max.
+4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
63 nC
Q(G) Referenz-Spannung
+10 V
C(ISS)
1200 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
+25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
-55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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