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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFR9024NPBF 1 P-Kanal 38 W DPAK

Infineon Technologies
Rated 4 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2017-01-23 T11:07:34.642-06:00
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  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
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Bestell-Nr.: 162699 - 62
Teile-Nr.: IRFR9024NPBF |  EAN: 2050000043420
MOSFET Infineon Technologies IRFR9024NPBF 1 P-Kanal 38 W DPAK
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Online verfügbar Lieferung: 25.01 bis 26.01.2017 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 2 Stunden 46 Minuten

Power MOSFET, P-Kanal

Technische Daten

Typ
IRFR9024NPBF
Gehäuse
DPAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
11 A
U
‑55 V
Ptot
38 W
R(DS)(on)
175 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
+10 V
U(GS)(th) max.
+4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
19 nC
Q(G) Referenz-Spannung
+10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
+25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
‑55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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Rated 4 out of 5 by Alltagstyp Arbeitstransistor mit ausreichend Leistung für mittlere Schaltnetzteile. 4. Mai 2010
  • 2017-01-23 T11:07:34.642-06:00
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