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MOSFET Infineon Technologies IRFS23N20D 1 N-Kanal 3.8 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162712 - 62
Teile-Nr.: IRFS23N20D |  EAN: 2050000043505
Abbildung ähnlich
2,46 €
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRFS23N20D
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
24 A
U
200 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
14 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
86 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1960 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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