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MOSFET Infineon Technologies IRFS41N15DPBF 1 N-Kanal 3.1 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564088 - 62
Teile-Nr.: IRFS41N15DPBF |  EAN: 2050003203753
Abbildung ähnlich
4,06 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFS41N15DPBF
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
U
150 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
45 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
25 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2520 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
150 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

Kunden suchen auch nach
IRFS41N15DPBF-ND, transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, IRFS41N15DPBF, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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