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MOSFET Infineon Technologies IRFS4227PBF 1 N-Kanal 330 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564089 - 62
Teile-Nr.: IRFS4227PBF |  EAN: 2050003203760
Abbildung ähnlich
4,35 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFS4227PBF
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
U
200 V
Ptot
330 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
46 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
98 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
4600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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