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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFSL4310PBF 1 N-Kanal 300 W TO-262-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564095 - 62
Teile-Nr.: IRFSL4310PBF |  EAN: 2050003203821
Abbildung ähnlich
5,70 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFSL4310PBF
Gehäuse
TO‑262‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
U
100 V
Ptot
300 W
R(DS)(on)
7 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
250 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
7670 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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