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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL1404ZPBF 1 N-Kanal 230 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161140 - 62
Teile-Nr.: IRL1404ZPBF |  EAN: 2050001541864
Abbildung ähnlich
4,40 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRL1404ZPBF
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
75 A
U
40 V
Ptot
230 W
R(DS)(on)
3.1 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.7 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
5080 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
40 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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