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MOSFET Infineon Technologies IRL2910PBF 1 N-Kanal 200 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162767 - 62
Teile-Nr.: IRL2910PBF |  EAN: 2050000043932
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRL2910PBF
Gehäuse
TO-220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
55 A
U
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
29 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
140 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
3700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten