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MOSFET Infineon Technologies IRL3102S 1 N-Kanal 89 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162769 - 62
Teile-Nr.: IRL3102S |  EAN: 2050000043956
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  • Typ: IRL3102S
  • Gehäuse: D2PAK
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRL3102S
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
61 A
U
20 V
Ptot
89 W
R(DS)(on)
13 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
37 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
7 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
58 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
2500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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