JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL3705NS 1 N-Kanal 3.8 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162785 - 62
Teile-Nr.: IRL3705NS |  EAN: 2050000044083
Abbildung ähnlich
3,99 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 10.12 bis 12.12.2016 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 2 Stunden 0 Minuten

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRL3705NS
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
89 A
U
55 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
10 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
46 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
98 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
3600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, IRL3705NS, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet