JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL3714ZSPBF 1 N-Kanal 35 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161147 - 62
Teile-Nr.: IRL3714ZSPBF |  EAN: 2050001541925
Abbildung ähnlich
0,79 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 20.01 bis 21.01.2017 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 2 Stunden 28 Minuten

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRL3714ZSPBF
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
36 A
U
20 V
Ptot
35 W
R(DS)(on)
16 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
15 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.55 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
7.2 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
550 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, verarmungstyp, metal oxide semiconductor, transistor à effet de champ, unipolar transistor, selbstleitend, International Rectifier, Junction fet, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, source, Infineon Technologies, drain, anreicherungstyp, IRL3714ZSPBF, FET, Feldeffekt-transistor, field-effect transistor, gate, selbstsperrend, unipolartransistor
Zubehör gleich mitbestellen