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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL6372PBF 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161157 - 62
Teile-Nr.: IRL6372PBF |  EAN: 2050001542007
Abbildung ähnlich
1,33 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRL6372PBF
Gehäuse
SO‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
8.1 A
U
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
17.9 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
10 µA
Q(G)
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1020 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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