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MOSFET Infineon Technologies IRL8113SPBF 1 N-Kanal 110 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161161 - 62
Teile-Nr.: IRL8113SPBF |  EAN: 2050001542038
Abbildung ähnlich
MOSFET Infineon Technologies IRL8113SPBF 1 N-Kanal 110 W D2PAK
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Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRL8113SPBF
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
105 A
U
30 V
Ptot
110 W
R(DS)(on)
6 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
21 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.25 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
2840 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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