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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLB4030PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161165 - 62
Teile-Nr.: IRLB4030PBF |  EAN: 2050001542076
Abbildung ähnlich
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Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRLB4030PBF
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
180 A
U
100 V
Ptot
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
110 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
130 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
11360 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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