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MOSFET Infineon Technologies IRLD024PBF 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162806 - 62
Teile-Nr.: IRLD024PBF |  EAN: 2050000044229
0,69 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 26.04 bis 27.04.2017

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLD024PBF
Gehäuse
HEXDIP
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
2.5 A
U
60 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
5 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
18 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
870 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten