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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLH5030TR2PBF 1 N-Kanal 3.6 W PQFN 5x6

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161169 - 62
Teile-Nr.: IRLH5030TR2PBF |  EAN: 2050001542113
Abbildung ähnlich

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRLH5030TR2PBF
Gehäuse
PQFN 5x6
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
13 A
100 A
U
100 V
Ptot
3.6 W
R(DS)(on)
9 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
50 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
Q(G)
94 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
5185 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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