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MOSFET Infineon Technologies IRLL2705PBF 1 N-Kanal 1 W SOT-223

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162824 - 62
Teile-Nr.: IRLL2705PBF |  EAN: 2050000044335
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLL2705PBF
Gehäuse
SOT‑223
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.8 A
U
55 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
40 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
48 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
870 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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