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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR024N 1 N-Kanal 45 W DPAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162843 - 62
Teile-Nr.: IRLR024N |  EAN: 2050000044519
MOSFET Infineon Technologies IRLR024N 1 N-Kanal 45 W DPAK
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HEXFET/FETKY

Technische Daten

Typ
IRLR024N
Gehäuse
DPAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
17 A
U
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
65 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
480 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

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Technische Daten

Highlights & Details

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