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MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF 1 N-Kanal 120 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564192 - 62
Teile-Nr.: IRLR2908PBF |  EAN: 2050003204743
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLR2908PBF
Gehäuse
TO‑252‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
U
80 V
Ptot
120 W
R(DS)(on)
28 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
23 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1890 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
80 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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