JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF 1 N-Kanal 120 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564192 - 62
Teile-Nr.: IRLR2908PBF |  EAN: 2050003204743
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF 1 N-Kanal 120 W TO-252-3
2,04 €
(Sie sparen 0,27 €)
1,77 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Menge in Stück Preis Ersparnis
Gesamt in €
1 1,77 € --
10 1,71 € 3% = 0,60 €
Online verfügbar Lieferung: 25.07 bis 26.07.2017
  • Typ: IRLR2908PBF
  • Gehäuse: TO-252-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLR2908PBF
Gehäuse
TO-252-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
U
80 V
Ptot
120 W
R(DS)(on)
28 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
23 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1890 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
80 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen