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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR8256PBF 1 N-Kanal 63 W DPAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161211 - 62
Teile-Nr.: IRLR8256PBF |  EAN: 2050001542489
Abbildung ähnlich
0,50 €
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Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRLR8256PBF
Gehäuse
DPAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
81 A
U
25 V
Ptot
63 W
R(DS)(on)
5.7 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
25 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
25 µA
Q(G)
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1470 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
25 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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