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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies SI4410DY 1 N-Kanal 2.5 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162881 - 62
Teile-Nr.: SI4410DY |  EAN: 2050000044816
Abbildung ähnlich
0,57 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4410DY
Gehäuse
SO‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
10 A
U
30 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
13.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
60 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
PowerTrench®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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