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MOSFET Infineon Technologies SI4435DY 1 P-Kanal 1 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162883 - 62
Teile-Nr.: SI4435DY |  EAN: 2050000044830
Abbildung ähnlich
0,51 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

HEXFET/FETKY

Technische Daten

Typ
SI4435DY
Gehäuse
SO‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
8.8 A
U
30 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
20 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
24 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
1604 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
PowerTrench®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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