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MOSFET Infineon Technologies SI4435DYPBF 1 P-Kanal 2.5 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564205 - 62
Teile-Nr.: SI4435DYPBF |  EAN: 2050003204859
Abbildung ähnlich
1,43 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4435DYPBF
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
U
30 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
20 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
60 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2320 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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