JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFH14N100Q2 1 N-Kanal 500 W TO-247AD

IXYS
Bestell-Nr.: 564268 - 62
Teile-Nr.: IXFH14N100Q2 |  EAN: 2050003205450
Abbildung ähnlich
26,03 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IXFH14N100Q2
Gehäuse
TO‑247AD
Hersteller
IXYS
Herst.-Abk.
IXY
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
14 A
U
1000 V
Ptot
500 W
R(DS)(on)
950 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
4 mA
Q(G)
83 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2800 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HiPerFET™
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
1000 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, IXYS, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, IXFH14N100Q2, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, IXFH14N100Q2-ND, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen