JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFK98N50P3 1 N-Kanal 1300 W TO-264-3

IXYS
Bestell-Nr.: 564290 - 62
Teile-Nr.: IXFK98N50P3 |  EAN: 2050003205665
Abbildung ähnlich
18,23 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IXFK98N50P3
Gehäuse
TO‑264‑3
Hersteller
IXYS
Herst.-Abk.
IXY
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
98 A
U
500 V
Ptot
1300 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
8 mA
Q(G)
197 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
13100 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HiPerFET™
Polar3™
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
500 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, IXFK98N50P3-ND, anreicherungstyp, IXYS, IXFK98N50P3, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen