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MOSFET IXYS IXFT18N100Q3 1 N-Kanal 830 W TO-268

IXYS
Bestell-Nr.: 564307 - 62
Teile-Nr.: IXFT18N100Q3 |  EAN: 2050003205832
Abbildung ähnlich
23,53 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IXFT18N100Q3
Gehäuse
TO‑268
Hersteller
IXYS
Herst.-Abk.
IXY
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
18 A
U
1000 V
Ptot
830 W
R(DS)(on)
660 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
6.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
4 mA
Q(G)
90 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
4890 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HiPerFET™
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
1000 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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