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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET nexperia BSH108,215 1 N-Kanal 830 mW SOT-23

nexperia
Bestell-Nr.: 1112242 - 62
Teile-Nr.: BSH108,215 |  EAN: 2050003449106
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  • Typ: BSH108,215
  • Gehäuse: SOT-23
  • Hersteller: nexperia
  • Herst.-Abk.: NEX
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
BSH108,215
Gehäuse
SOT-23
Hersteller
nexperia
Herst.-Abk.
NEX
Ausführung
N-Kanal
I(d)
73 A
U
30 V
Ptot
830 mW
R(DS)(on)
120 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
Q(G)
10 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
190 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-65 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
TrenchMOS™
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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