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MOSFET nexperia BST82,215 1 N-Kanal 830 mW SOT-23

nexperia
Bestell-Nr.: 1112197 - 62
Teile-Nr.: BST82,215 |  EAN: 2050003448659
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  • Typ: BST82,215
  • Gehäuse: SOT-23
  • Hersteller: nexperia
  • Herst.-Abk.: NEX
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
BST82,215
Gehäuse
SOT-23
Hersteller
nexperia
Herst.-Abk.
NEX
Ausführung
N-Kanal
I(d)
75 A
U
100 V
Ptot
830 mW
R(DS)(on)
10 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
150 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
5 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
C(ISS)
40 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-65 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
TrenchMOS™
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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