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MOSFET nexperia PHB32N06LT,118 1 N-Kanal 97 W TO-263-3

nexperia
Bestell-Nr.: 1111983 - 62
Teile-Nr.: PHB32N06LT,118 |  EAN: 2050003444514
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  • Typ: PHB32N06LT,118
  • Gehäuse: TO-263-3
  • Hersteller: nexperia
  • Herst.-Abk.: NEX
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
PHB32N06LT,118
Gehäuse
TO-263-3
Hersteller
nexperia
Herst.-Abk.
NEX
Ausführung
N-Kanal
I(d)
24 A
U
60 V
Ptot
97 W
R(DS)(on)
37 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
Q(G)
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
1280 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
TrenchMOS™
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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