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MOSFET nexperia PMDPB58UPE,115 2 P-Kanal 515 mW HUSON-6

nexperia
Bestell-Nr.: 1111915 - 62
Teile-Nr.: PMDPB58UPE,115 |  EAN: 2050003442831
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  • Typ: PMDPB58UPE,115
  • Gehäuse: HUSON-6
  • Hersteller: nexperia
  • Herst.-Abk.: NEX
  • Ausführung: P-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
PMDPB58UPE,115
Gehäuse
HUSON-6
Hersteller
nexperia
Herst.-Abk.
NEX
Ausführung
P-Kanal
U
20 V
Ptot
515 mW
R(DS)(on)
67 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.95 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
9.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
804 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

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