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MOSFET nexperia PSMN4R3-80ES,127 1 N-Kanal 306 W TO-262-3

nexperia
Bestell-Nr.: 1112484 - 62
Teile-Nr.: PSMN4R3-80ES,127 |  EAN: 2050003454520
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  • Typ: PSMN4R3-80ES,127
  • Gehäuse: TO-262-3
  • Hersteller: nexperia
  • Herst.-Abk.: NEX
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
PSMN4R3-80ES,127
Gehäuse
TO-262-3
Hersteller
nexperia
Herst.-Abk.
NEX
Ausführung
N-Kanal
I(d)
25 A
U
80 V
Ptot
306 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
25 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
Q(G)
111 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
8161 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
40 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
80 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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