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MOSFET NXP Semiconductors BSP250GEG 1 P-Kanal 1.65 W SOT-223

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 150848 - 62
Teile-Nr.: BSP250GEG |  EAN: 2050000011627
Abbildung ähnlich
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inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (≤ 1 W)

Technische Daten

Typ
BSP250GEG
Gehäuse
SOT‑223
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
3 A
U
30 V
Ptot
1.65 W
R(DS)(on)
250 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
Q(G)
25 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
250 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
20 V
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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