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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET NXP Semiconductors PHC21025 1 N-Kanal, P-Kanal 1 W SOIC-8

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 150862 - 62
Teile-Nr.: PHC21025 |  EAN: 2050000011689
Abbildung ähnlich
0,76 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
PHC21025
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Ausführung
N‑Kanal
P‑Kanal
I(d)
3.5 A
2.3 A
U
30 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
2.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
Q(G)
30 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
250 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
20 V
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}