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MOSFET NXP Semiconductors PMZB350UPE,315 1 P-Kanal 360 mW DFN-3

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 1112233 - 62
Teile-Nr.: PMZB350UPE,315 |  EAN: 2050003449014
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  • Typ: PMZB350UPE,315
  • Gehäuse: DFN-3
  • Hersteller: NXP Semiconductors
  • Herst.-Abk.: NXP
  • Ausführung: P-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
PMZB350UPE,315
Gehäuse
DFN-3
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Ausführung
P-Kanal
I(d)
18 A
U
20 V
Ptot
360 mW
R(DS)(on)
450 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
300 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.95 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
1.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
127 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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