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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET STMicroelectronics STP140N8F7 1 N-Kanal 200 W TO-220

STMicroelectronics
Bestell-Nr.: 564740 - 62
Teile-Nr.: STP140N8F7 |  EAN: 2050003209922
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MOSFET

Technische Daten

Typ
STP140N8F7
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
STMicroelectronics
Herst.-Abk.
STM
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
90 A
U
80 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
45 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
96 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
6340 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
40 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
DeepGATE™
STripFET™ VII
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
80 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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