JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET STMicroelectronics STP80NF10 1 N-Kanal 300 W TO-220AB

STMicroelectronics
Bestell-Nr.: 156103 - 62
Teile-Nr.: STP80NF10 |  EAN: 2050000035463
Abbildung ähnlich
1,82 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
STP80NF10
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
STMicroelectronics
Herst.-Abk.
STM
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
80 A
U
100 V
Ptot
300 W
R(DS)(on)
15 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
40 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
182 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
5500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
STripFET™ II
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, 497-2642-5-ND, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, STP80NF10, source, selbstleitend, STMicroelectronics, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet