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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Texas Instruments TPS1120D 2 P-Kanal 840 mW SOIC-8

Texas Instruments
Bestell-Nr.: 564797 - 62
Teile-Nr.: TPS1120D |  EAN: 2050003210478
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MOSFET

Technische Daten

Typ
TPS1120D
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Texas Instruments
Herst.-Abk.
TID
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
1.17 A
U
15 V
Ptot
840 mW
R(DS)(on)
180 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
5.45 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
‑40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
15 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

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Technische Daten

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