JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay 2N7002-T1-E3 1 N-Kanal 200 mW SOT-23

Vishay
Bestell-Nr.: 597109 - 62
Teile-Nr.: 2N7002-T1-E3 |  EAN: 2050003222020
Abbildung ähnlich
0,85 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
2N7002‑T1‑E3
Gehäuse
SOT‑23
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
115 mA
U
60 V
Ptot
200 mW
R(DS)(on)
7.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
C(ISS)
50 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, 2N7002-T1-E3, transistor à effet de champ, 2N7002-T1-E3CT-ND, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
Zubehör gleich mitbestellen